Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

dc.contributor.advisorBektöre, Yüksel
dc.contributor.authorTayşioğlu, Aslı Ayten
dc.contributor.departmentUludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Ana Bilim Dalı.tr_TR
dc.date.accessioned2021-04-19T12:37:59Z
dc.date.available2021-04-19T12:37:59Z
dc.date.issued2006-05-16
dc.description.abstractBu çalışmada Al/SnO2/p-Si (MIS) diyot spray pyrolysis yöntemiyle hazırlanmıştır. Elektriksel özellikleri incelenerek, diyottaki baskın akım geçişinin hangi yolla olduğu belirlenmiştir. Aynı zamanda Al/SnO2/p-Si (MIS) diyotun optik özellikleri incelenerek yapısal özellikleri belirlenmiştir. Oluşturulan Al/SnO2/p-Si (MIS) diyotun elektriksel özelliklerinde, akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelenmiştir. Akım-gerilim karakteristiklerinde ln(I)' nın V’ ye göre çizilen grafiğin doğrusal bölgesinin eğiminden, ideal faktörün değeri elde edilmiştir. Ayrıca akım-gerilim karakteristikleri ve temel soğurma spektrumundan bariyer yüksekliği hesaplanmıştır. Al/SnO2/p-Si (MIS) diyotun optik özellikleri hakkında bilgi edinmek için, diyotun optik soğurması, optik geçirgenliği, yasak-bant aralığı ve Urbach Parametresi hesaplandı. Diyot yapısı X-Ray difraktometresi ile yüzey özellikleri ise, tarayıcı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji kırınımlı X-Ray spektrometresi ile incelendi. Bu incelemeler ile diyotun tercihli yönelimi ve tane boyutu elde edildi. Yapılan bu çalışmada, deneysel olarak iki farklı yöntemle hesapladığımız bariyer yüksekliğinin teorik sonuçlarla çok yakın değerde olduğu görülmüştür. Elde edilen filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumlarından yararlanılarak; yansıma katsayıları, lineer soğurma katsayıları, kırılma indisleri ve sönüm katsayıları hesaplanmıştır. Bu parametrelerin dalga boyuna bağlı olarak değişimleri incelenmiştir. XRD desenlerinden filmin polikristal yapıda olduğu belirlenmiştir. SEM fotoğraflarından; filmlerin yüzeylerinin homojen dağılıma sahip olup olmadıkları incelenmiştir.tr_TR
dc.description.abstractIn this study Al/SnO2/p-Si (MIS) diode was prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis. Dominant current transport in MIS diode was determined by investigation of electrical properties. We also determined the diode structures by investigation of Optical properties of this diode. I-V characteristics of Al/SnO2/p-Si (MIS) diode were investigated. By plotting lnl versus V, the values of ideality factor were obtained from the slope of linear region of I-V plots. We also calculated the barrier height by I-V characteristics and basis absorption spectrums. To possess information about the optical properties of Al / SnO2/ p-Si (MIS) Schottky Diode, their optical absorptions, optical transmittance, band-gap and Urbach Parameter were investigated. The diode structures were studied by X-Ray diffraction. Surface morphologies of diode were studied scanning electron microscopy and energy dispersive X-Ray spectroscopy, respectively. X-Ray diffraction studies showed that the crystallite size and prefential growth directions of diode. In this study, obtained barrier height by two different ways are convenient to theoretical values. Using transmission and absorption spectra; reflection coefficients, linear absorption coefficient, refractive index and extinction coefficient of film were calculated. The variations of these parameters depending on the wavelength were investigated. It was seen XRD patterns that SnO2 film has polycrystalline structure. It was investigated whether the surface of the film is homogenous or not was investigated using SEM photographs.en_US
dc.format.extentIX, 62 sayfatr_TR
dc.identifier.citationTayşioğlu, A. A. (2006). Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/19837
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherBursa Uludağ Üniversitesitr_TR
dc.relation.publicationcategoryTeztr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectAl/SnO2/p-Si (MIS) diyot spraytr_TR
dc.subjectPyrolysis yöntemitr_TR
dc.subjectElektriksel özelliklertr_TR
dc.subjectAl/SnO2/p-Si misdiodeen_US
dc.subjectElectrical and optical propertiesen_US
dc.subjectX-Ray difraktometresitr_TR
dc.titleAl/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesitr_TR
dc.title.alternativeElectrical and optical properties of Al/SnO2/p-Si misdiodeen_US
dc.typemasterThesisen_US

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
165015.pdf
Size:
6.19 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: