MOS(Al-Si0₂-Si) yapılarda radyasyonun arayüzey durumlarına etkileri

Abstract

Değişik oksit kalınlıklarına sahip Metal-Oksit-Yarıiletken (Semiconductor) (Al-Si 0₂ -Si) tipi kupasitörlerde Silisyumdioksit içinde ve Si-Si 0₂ arayüzeyirde düşük enerjili elektronlarla (0-25 keV) oluşturulan yükler ve arayüzey durumları, elektron demetinin enerjisine, doza ve oksit kalınlığına bağlı olarak incelenmiştir. Elektron bombardımanından önce ve sonra yapılan yüksek frekans(1MHz) kapasite-gerilim eğrilerindeki düzbant ve bantortorlasına rastlayan gerilim kaymalarından yük miktarları hesaplanmıştır. Oksit yüklerinin ve arayüzey tuzaklarını dolduran yük sayısının değişik oksit kalınlıkları için elektron demetinin belirli enerjilerde büyük ölçüde arttığı gözlenmiştir. Ayrıca yaratılan arayüzey tuzaklarının silisyum yasak enerji bölgesine dağılımı çizilmiştir. Silisyum yasak enerji bölgesindeki bu enerji seviyelerinin Bakır (Cu) ve Nikel (Ni)'in enerji seviyelerine karşılık geldiği saptanmıştır. Bu sonuçların doğruluğunu saptamak için yapılan Zeeman etkili atomik apsorpsiyon spektrumu deneylerinde bu örneklerde bol miktarda Cu ve Ni bulunmuştur. Bunun ise örneklerin hazırlanması sırasında LOS yapıya girdiği sonucuna varılmıştır. Bu çalışma elektron bombardımanından sonra elde edilen kapasite-gerilim eğrilerinin elektroniksanayinde kirlilik miktarını ve cinsini tayin etmek için iyi bir spektroskopik yöntem olabileceğini kanıtlamaktadır.