Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi

dc.contributor.advisorBektöre, Yüksel
dc.contributor.authorErtürk, Kadir
dc.contributor.departmentUludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.tr_TR
dc.date.accessioned2020-02-03T08:19:57Z
dc.date.available2020-02-03T08:19:57Z
dc.date.issued2002-08-14
dc.description.abstractBu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal - yarıiletken Schottky bariyer diyotlarla çalışılmıştır. Schottky bariyer diyot silisyum üzerine gümüş kaplanmasıyla oluşturulmuştur. Akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)'nın V'ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (θb) hesaplanmıştır. 1 - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmıştır. C - V ve I - V ölçümlerinden bulunan bariyer yükseklikleri karşılaştırılmıştır.tr_TR
dc.description.abstractIn this work, Schottky barrier diode which is a metal - semiconductor contact and possesses rectifying properties have been studied. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (θb) is found. I - V measurement is fallowed by C - V measurement on the sample. Barrier height which were calculated both C - V and I - V measurements, has been compared.en_US
dc.format.extentIX, 59 sayfatr_TR
dc.identifier.citationErtürk, K. (2002). Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/7673
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherUludağ Üniversitesitr_TR
dc.relation.bap2001/70tr_TR
dc.relation.publicationcategoryTeztr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectBariyertr_TR
dc.subjectSchottky diyodlarıtr_TR
dc.subjectİdealite faktörütr_TR
dc.subjectİnce filmlertr_TR
dc.subjectBarrieren_US
dc.subjectSchottky diodesen_US
dc.subjectIdeality factoren_US
dc.subjectThin filmsen_US
dc.titleSi(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesitr_TR
dc.title.alternativeFormation of thin Ag film on Si(100) and investigation of its characteristicsen_US
dc.typemasterThesisen_US

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
128467.pdf
Size:
2.32 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: