Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi

Simple item page
dc.contributor.authorYılmaz, Ercan
dc.contributor.buuauthorKahraman, Ayşegül
dc.contributor.departmentUludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.tr_TR
dc.date.accessioned2020-08-16T22:58:59Z
dc.date.available2020-08-16T22:58:59Z
dc.date.issued2017-06-05
dc.description.abstractBu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası Vth değerleri, RadFET’lerin akım-gerilim (Id-Vg) karakteristiklerinden elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, Vth değerlerinin düşmesine neden olmuştur. Vth değerinin sıfır olması, daha geniş ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET’lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak, implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte Vth, p-kanalı oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET için en düşük Vth değeri, 6.5×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 72 keV’de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nmRadFET için bu değer, 2.3×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 106 keV’de, -1.139 V olarak elde edilmiştir.tr_TR
dc.description.abstractIn this study, the effect of the B+ ions implanted to gate oxide layer of the RadFETs on Vth was investigated by Silvaco TCAD simulation program. The RadFETs with the gate oxide thicknesses of 300 nm and 400 nm were designed by introducing the all of the RadFETs production steps to TCAD. The Vth values were obtained from the current-voltage (Id-Vg) characteristics of the RadFETs before and after implantation. Increasing implantation energy caused the reduction of the Vth values. The zero Vth value is important to produce the RadFET with broader measurable dose range. However, Vth was not observed in the negative voltages with continuous increment in the implantation energy due to the p-channel formation. For the 300 nm-RadFET, the lowest Vth value was found as -1.082 V for boron dose with 6.5×1011 ions/cm2 at 72 keV. This value for 400 nm-RadFET was obtained as -1.139 V for boron dose with 2.3×1011 ions/cm2 at 106 keV.en_US
dc.identifier.citationKahraman, A. ve Yılmaz, E. (2017). "Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 22(2), 53-64.tr_TR
dc.identifier.endpage64tr_TR
dc.identifier.issn2148-4147
dc.identifier.issn2148-4155
dc.identifier.issue2tr_TR
dc.identifier.startpage53tr_TR
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/336540
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/12239
dc.identifier.volume22tr_TR
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherUludağ Üniversitesitr_TR
dc.relation.collaborationYurt içitr_TR
dc.relation.journalUludağ Üniversitesi Mühendislik Dergisi / Uludağ University Journal of The Faculty of Engineeringtr_TR
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergitr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectRadFETtr_TR
dc.subjectÜretim benzetimitr_TR
dc.subjectB+ implantasyonutr_TR
dc.subjectEşik gerilimitr_TR
dc.subjectTCADtr_TR
dc.subjectProduction simulationen_US
dc.subjectB+ implantationen_US
dc.subjectThreshold voltageen_US
dc.titleFarklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesitr_TR
dc.title.alternativeInvestigation of electrical characterization of RadFETs for different B+ implantation conditions with TCAD simulation programen_US
dc.typeArticleen_US

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
22_2_5.pdf
Size:
1.06 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

2017 Cilt 22 Sayı 2