Güneş pili uygulamaları için CdTe yarıiletken ince filmlerin elektrodepozisyon yöntemiyle üretilmesi

Abstract

Elektrodepozisyon ile üretilen kadmiyum tellür (CdTe) ince filmi, oda sıcaklığında 120 saniye sürede ve -0,85 V’luk sabit bir katodik potansiyel altında ITO kaplı cam yüzeye büyütülmüştür. Depozisyon çözeltisi, kadmiyum klorür (CdCl2), sodyum tellürit (Na2TeO3) ve saf sudan oluşturuldu. Depozisyon çöeltisinin pH değeri, HCl eklenerek 2,0’a ayarlandı. EDX analizi CdTe filminin %52 Cd ve %48 Te elemental bileşenlerine sahip olduğunu göstermektedir. Film kalınlığının 140 nm olduğu bulundu. CdTe ince filmi p-tipi yarıiletken davranış sergilemektedir ve 1,47 eV’luk bir enerji bant aralığına sahiptir.Electro-deposited cadmium tellurite (CuTe) thin film was grown onto ITO-coated glass substrate for 120 seconds at the room temperature and a constant cathodic potential of -0.85 V. Deposition solution was prepared from cadmium chloride (CdCl2), sodium tellurite (Na2TeO3) and pure water. The pH value of the deposition solution was adjusted to 2.0 by adding HCl. The EDX analysis shows that the film has 52% Cd and 48% Te elemental compositions. Film thickness was found to be 140 nm. The CdTe thin film exhibits p-type semiconductor character, and has an energy bandgap of 1.47 eV.