Evaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beam

Simple item page
dc.contributor.authorYeğen, Dinçer
dc.contributor.authorYılmaz, Ercan
dc.contributor.buuauthorMorkoç, Berk
dc.contributor.buuauthorKahraman, Ayşegül
dc.contributor.departmentBursa Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.tr_TR
dc.contributor.orcid0000-0002-9573-5805
dc.contributor.orcid0000-0002-1836-7033
dc.date.accessioned2020-09-14T07:29:52Z
dc.date.available2020-09-14T07:29:52Z
dc.date.issued2019-11-18
dc.description.abstractThe radiation response of RadFET irradiated with 18 MV X-rays emitted from a linear accelerator was examined on threshold voltage shifts and trap densities. The measured threshold voltages were compared before and after irradiation. Trap densities calculated using various techniques in the gate oxide and oxide/silicon interface were interpreted. The ΔVth – D graph showed excellent linearity of up to just about 2 Gy. The RadFETs response to radiation started to deviate from linearity after 2 Gy due to increasing oxide trapped charges induced by electric field screening. The experimental outcomes are in good accordance with the fitting function given for RadFETs. Fixed and switching traps formed by irradiation were investigated. The density of the fixed traps was significantly higher than the density of the switching traps. From the threshold voltages measured under zero gate voltage in a certain time interval, the percentage fading range was calculated as 0.004-1.235%.en_US
dc.description.abstractLineer hızlandırıcıdan yayılan 18 MV’luk X-ışınları ile ışınlanan RadFET’lerin radyasyon cevapları, eşik voltaj kaymaları ve tuzak yoğunlukları üzerinden incelenmiştir. Işınlamadan önce ve sonra eşik voltajları ölçülerek karşılaştırılmıştır. Çeşitli teknikler kullanılarak kapı oksitinde ve oksit/silikon arayüzeyinde hesaplanan tuzak yoğunlukları değerlendirilmiştir. ΔVth – D grafiği, yaklaşık 2 Gy’e kadar mükemmel doğrusallık göstermiştir. RadFET’in radyasyon cevabı, elektrik alan perdelemesi tarafından uyarılan oksit tuzak yüklerinin artmasıyla 2 Gy sonrasında doğrusallıktan sapmaya başlamıştır. Deneysel sonuçlar, RadFET’ler için verilen fit fonksiyonuyla iyi bir uyum içindedir. Işınlama sonucunda oluşan sabit ve anahtarlama tuzakları incelenmiştir. Sabit tuzakların yoğunluğu, anahtarlama tuzaklarının yoğunluğundan önemli bir miktar daha yüksek olarak bulunmuştur. Sıfır kapı voltajı altında ölçülen eşik voltajlarından yüzde zayıflama aralığı %0.004 – %1.235 olarak hesaplanmıştır.tr_TR
dc.identifier.citationMorkoç, B. vd. (2019). "Evaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beam". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 24(3), 309-318.tr_TR
dc.identifier.endpage318tr_TR
dc.identifier.issn2148-4147
dc.identifier.issn2148-4155
dc.identifier.issue3tr_TR
dc.identifier.startpage309tr_TR
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/903441
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/12649
dc.identifier.volume24tr_TR
dc.language.isoenen
dc.publisherBursa Uludağ Üniversitesitr_TR
dc.relation.collaborationYurt içitr_TR
dc.relation.journalUludağ Üniversitesi Mühendislik Dergisi / Uludağ University Journal of The Faculty of Engineeringtr_TR
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergitr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectRadFETen_US
dc.subjectRadiation responseen_US
dc.subjectRadiotherapyen_US
dc.subjectRadyasyon cevabıtr_TR
dc.subjectRadyoterapitr_TR
dc.titleEvaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beamen_US
dc.title.alternative18 MV-harici demet ile RadFET radyasyon sensörü performansının değerlendirilmesitr_TR
dc.typeArticleen_US

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
24_3_22.pdf
Size:
813.12 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

2019 Cilt 24 Sayı 3