Publication:
Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi

dc.contributor.authorYılmaz, Ercan
dc.contributor.buuauthorKahraman, Ayşegül
dc.contributor.departmentFen Edebiyat Fakültesi
dc.contributor.departmentFizik Bölümü
dc.date.accessioned2020-08-16T22:58:59Z
dc.date.available2020-08-16T22:58:59Z
dc.date.issued2017-06-05
dc.description.abstractBu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası Vth değerleri, RadFET’lerin akım-gerilim (Id-Vg) karakteristiklerinden elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, Vth değerlerinin düşmesine neden olmuştur. Vth değerinin sıfır olması, daha geniş ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET’lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak, implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte Vth, p-kanalı oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET için en düşük Vth değeri, 6.5×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 72 keV’de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nmRadFET için bu değer, 2.3×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 106 keV’de, -1.139 V olarak elde edilmiştir.
dc.description.abstractIn this study, the effect of the B+ ions implanted to gate oxide layer of the RadFETs on Vth was investigated by Silvaco TCAD simulation program. The RadFETs with the gate oxide thicknesses of 300 nm and 400 nm were designed by introducing the all of the RadFETs production steps to TCAD. The Vth values were obtained from the current-voltage (Id-Vg) characteristics of the RadFETs before and after implantation. Increasing implantation energy caused the reduction of the Vth values. The zero Vth value is important to produce the RadFET with broader measurable dose range. However, Vth was not observed in the negative voltages with continuous increment in the implantation energy due to the p-channel formation. For the 300 nm-RadFET, the lowest Vth value was found as -1.082 V for boron dose with 6.5×1011 ions/cm2 at 72 keV. This value for 400 nm-RadFET was obtained as -1.139 V for boron dose with 2.3×1011 ions/cm2 at 106 keV.
dc.identifier.citationKahraman, A. ve Yılmaz, E. (2017). "Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 22(2), 53-64.
dc.identifier.endpage64
dc.identifier.issn2148-4147
dc.identifier.issn2148-4155
dc.identifier.issue2
dc.identifier.startpage53
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/336540
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/12239
dc.identifier.volume22
dc.language.isotr
dc.publisherUludağ Üniversitesi
dc.relation.collaborationYurt içi
dc.relation.journalUludağ Üniversitesi Mühendislik Dergisi / Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergi
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectRadFET
dc.subjectÜretim benzetimi
dc.subjectB+ implantasyonu
dc.subjectEşik gerilimi
dc.subjectTCAD
dc.subjectProduction simulation
dc.subjectB+ implantation
dc.subjectThreshold voltage
dc.titleFarklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi
dc.title.alternativeInvestigation of electrical characterization of RadFETs for different B+ implantation conditions with TCAD simulation program
dc.typeArticle
dspace.entity.typePublication
local.contributor.departmentFen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
22_2_5.pdf
Size:
1.06 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Placeholder
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: