Publication:
Evaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beam

dc.contributor.authorYeğen, Dinçer
dc.contributor.authorYılmaz, Ercan
dc.contributor.buuauthorMorkoç, Berk
dc.contributor.buuauthorKahraman, Ayşegül
dc.contributor.departmentFen Edebiyat Fakültesi
dc.contributor.departmentFizik Bölümü
dc.contributor.orcid0000-0002-9573-5805
dc.contributor.orcid0000-0002-1836-7033
dc.date.accessioned2020-09-14T07:29:52Z
dc.date.available2020-09-14T07:29:52Z
dc.date.issued2019-11-18
dc.description.abstractThe radiation response of RadFET irradiated with 18 MV X-rays emitted from a linear accelerator was examined on threshold voltage shifts and trap densities. The measured threshold voltages were compared before and after irradiation. Trap densities calculated using various techniques in the gate oxide and oxide/silicon interface were interpreted. The ΔVth – D graph showed excellent linearity of up to just about 2 Gy. The RadFETs response to radiation started to deviate from linearity after 2 Gy due to increasing oxide trapped charges induced by electric field screening. The experimental outcomes are in good accordance with the fitting function given for RadFETs. Fixed and switching traps formed by irradiation were investigated. The density of the fixed traps was significantly higher than the density of the switching traps. From the threshold voltages measured under zero gate voltage in a certain time interval, the percentage fading range was calculated as 0.004-1.235%.
dc.description.abstractLineer hızlandırıcıdan yayılan 18 MV’luk X-ışınları ile ışınlanan RadFET’lerin radyasyon cevapları, eşik voltaj kaymaları ve tuzak yoğunlukları üzerinden incelenmiştir. Işınlamadan önce ve sonra eşik voltajları ölçülerek karşılaştırılmıştır. Çeşitli teknikler kullanılarak kapı oksitinde ve oksit/silikon arayüzeyinde hesaplanan tuzak yoğunlukları değerlendirilmiştir. ΔVth – D grafiği, yaklaşık 2 Gy’e kadar mükemmel doğrusallık göstermiştir. RadFET’in radyasyon cevabı, elektrik alan perdelemesi tarafından uyarılan oksit tuzak yüklerinin artmasıyla 2 Gy sonrasında doğrusallıktan sapmaya başlamıştır. Deneysel sonuçlar, RadFET’ler için verilen fit fonksiyonuyla iyi bir uyum içindedir. Işınlama sonucunda oluşan sabit ve anahtarlama tuzakları incelenmiştir. Sabit tuzakların yoğunluğu, anahtarlama tuzaklarının yoğunluğundan önemli bir miktar daha yüksek olarak bulunmuştur. Sıfır kapı voltajı altında ölçülen eşik voltajlarından yüzde zayıflama aralığı %0.004 – %1.235 olarak hesaplanmıştır.
dc.identifier.citationMorkoç, B. vd. (2019). "Evaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beam". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 24(3), 309-318.
dc.identifier.endpage318
dc.identifier.issn2148-4147
dc.identifier.issn2148-4155
dc.identifier.issue3
dc.identifier.startpage309
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/903441
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/12649
dc.identifier.volume24
dc.language.isoen
dc.publisherBursa Uludağ Üniversitesi
dc.relation.collaborationYurt içi
dc.relation.journalUludağ Üniversitesi Mühendislik Dergisi / Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergi
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectRadFET
dc.subjectRadiation response
dc.subjectRadiotherapy
dc.subjectRadyasyon cevabı
dc.subjectRadyoterapi
dc.titleEvaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beam
dc.title.alternative18 MV-harici demet ile RadFET radyasyon sensörü performansının değerlendirilmesi
dc.typeArticle
dspace.entity.typePublication
local.contributor.departmentFen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
24_3_22.pdf
Size:
813.12 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Placeholder
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: