GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi

Simple item page
dc.contributor.advisorAhmetoğlu, Muhitdin
dc.contributor.authorKucur, Banu
dc.contributor.departmentUludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.tr_TR
dc.date.accessioned2020-03-13T08:01:22Z
dc.date.available2020-03-13T08:01:22Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractYarıiletken malzemeler ve bu malzemelerden üretilen doğrultucu, laser, transistör, ışık yayan diyot (LED), fotodetektör gibi araç ve gereçler, elektronik, bilgisayar teknolojisi, nanoteknoloji, askeri savunma sanayi, optik iletişim sistemleri gibi pek çok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. Son yıllarda, kızılötesi (infrared) bölgede çalışan yüksek verimli ışık kaynakları ve fotoalıcılar, ayrıca bunların imal edilmesi için gereken yarıiletken malzemelerin incelenmesi güncel bir konu haline gelmiştir. Söz konusu spektrum bölgesinde çalışan optoelektronik düzeneklerin imal edilmesi için GaSb ve InAs gibi taban malzemeler ile örgü sabitleri uyumlu olan GaInAsSb, GaAlAsSb, InAsSbP gibi dört bileşenli katı çözeltiler uygun malzemeler olarak görülmektedirler.Bu çalışmada kızılötesi bölgede çalışan GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb çift heteroyapı numunesinin elektrik özellikleri incelenmiştir. C-V ve I-V ölçümlerinin yanı sıra hesaplanan ideal faktör ve aktivasyon enerjisi değerlerinden de faydalanılarak farklı sıcaklıklardaki karanlık akım mekanizmaları yorumlanmıştır.tr_TR
dc.description.abstractSemiconductor materials and devices produced from these materials such as rectifiers, lasers, transistors, light emitting diodes (LEDs) and photodetectors are widely used in electronics, computing technologies, nanotechnology, defence industry, optical communication systems etc. In recent years, efficient light sources and photodetectors operating in the infrared region and investigation of the semiconductor materials used to fabricate these devices have been popular. Quaternary solid solutions such as GaInAsSb, GaAlAsSb and InAsSbP which are lattice matched with GaSb and InAs substrates are said to be appropriate materials to fabricate optoelectronic devices operating in the infrared region.In this work, electrical properties of the GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb double heterostructure were investigated. Dark current mechanisms at several temperatures are discussed by using calculated ideality factor and activation energy values in addition to I-V and C-V measurements.en_US
dc.format.extentVIII, 54 sayfatr_TR
dc.identifier.citationKucur, B. (2011). GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/10074
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherUludağ Üniversitesitr_TR
dc.relation.publicationcategoryTeztr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectYarıiletkentr_TR
dc.subjectKızılötesitr_TR
dc.subjectOptoelektroniktr_TR
dc.subjectHeteroyapıtr_TR
dc.subjectKaranlık akımtr_TR
dc.subjectSemiconductoren_US
dc.subjectInfrareden_US
dc.subjectOptoelectronicsen_US
dc.subjectHeterostructureen_US
dc.subjectDark currenten_US
dc.titleGaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesitr_TR
dc.title.alternativeInvestigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodesen_US
dc.typemasterThesisen_US

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
286962.pdf
Size:
1.98 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Sağlık Bilimleri Yüksek Lisans Tezleri / Master Degree