Ahmetoğlu, MuhitdinKirezli, Burcu2021-04-132021-04-132019-07-01Kirezli, B. (2019). N-GaAs ve n-Si yarıiletkenler üzerinde yüzey polimerizasyon yöntemiyle elde edilmiş olan P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT] filmlerinin oluşturduğu fotodiyot yapıların elektrik ve optik özellikleri. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Bursa Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.http://hdl.handle.net/11452/19584Son yıllarda Schottky bariyer diyotlarında büyük bir araştırma ve geliştirme çalışması canlandı. Bu aktivite, yarıiletken teknolojisindeki metalle temasların önemi ile büyük ölçüde esinlenmiştir. Yarıiletken üzerinde ince bir polimer tabakanın varlığı metal/yarıiletken Schottky yapılarda önemli rol oynadığı bilinmektedir. İletken polimerlerin elektriksel ve optik özellikleri, teknolojik açıdan çok önemlidir. Bu çalışmada, ilk olarak yüzey polimerizasyon tekniği ile n-Si ve n-GaAs üzerine ince polimer film kaplanarak, P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-GaAs ve P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-Si fotodiyot yapıları elde edilmiştir. Bu iki fotodiyotun elektriksel özellikleri farklı sıcaklıklarda elektrik özellikleri incelenmiştir. Farklı dalga boyunda lazer ışınları ile aydınlatılarak numunelerin akım–voltaj karakteristikleri incelenmiştir. Spektral duyarlılık ölçümleri, Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monokromatör sistemi kullanılarak elde edilmiştir. İncelenmiş olan yapıların VIS (Görünür) ve NIR (Yakın Kızılötesi) fotodetektör uygulamaları için iyi bir aday olduğu görülmüştür.In recent years, a major research and development has been revived in Schottky barrier diodes. This activity has been greatly inspired by the importance of metal contacts in semiconductor technology. The presence of a thin polymer layer on the semiconductor is known to play an important role in metal / semiconductor Schottky structures. Electrical and optical properties of conductive polymers are very important in terms of technology. In this study, firstly P[(EGDMA-VPCA) -SWCNT]/n-GaAs and P [(EGDMA-VPCA) -SWCNT]/n-Si photodiode structures were obtained by coating thin polymer film on n-Si and n-GaAs by surface polymerization technique. The electrical properties of these two different photodiodes were investigated. The current – voltage characteristics of the samples were examined by illuminating with different wavelength laser beams. Spectral sensitivity measurements were obtained using Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monochromator system. The structures investigated have been found to be a good candidate for VIS (Visible) and NIR (Near Infrared) photodetector applications.XII, 87 sayfatrinfo:eu-repo/semantics/openAccessYarıiletkenKarbon nanotüpFotodiyotSchottky bariyer diyotSemiconductorCarbon nanotubePhotodiodesSchottky barrier diodesmasterThesis