A DC~1.6 GHz distributed amplifier with GaAs MESFETs
Loading...
Date
2016-08-31
Authors
Hiçdurmaz, Bahadır
Özzaim, Cengiz
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Uludağ Üniversitesi
Abstract
In this study, a DC ~ 1.6 GHz bandwidth distributed amplifier (DA) is fabricated in printed circuit board (PCB). The scattering (S-) parameters of the distributed amplifier are measured and compared with simulated results. In characterization of the amplifier, small-signal microwave Sparameters given at some discrete frequencies of transistors are utilized. According to obtained results, it is observed that measured and simulated results are in relatively good agreement.
Bu çalışmada, DC ~ 1.6 GHz bant genişliğine sahip bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici (DA) baskı devre kartında gerçeklenmiştir. Dağılmış parametreli kuvvetlendiricinin performans parametreleri olan saçınım (S-) parametreleri ölçülmüş ve sonuçlar benzetim sonuçlarıyla kıyaslanmıştır. Yükselticinin karakterizasyonunda, devrenin aktif elemanları olan transistörlerin bazı frekanslarda verilmiş küçük-işaret mikrodalga S-parametreleri ve pasif elemanların değerleri kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre, ölçülen ve benzetilen sonuçlar nispeten uyumludur.
Bu çalışmada, DC ~ 1.6 GHz bant genişliğine sahip bir dağılmış parametreli kuvvetlendirici (DA) baskı devre kartında gerçeklenmiştir. Dağılmış parametreli kuvvetlendiricinin performans parametreleri olan saçınım (S-) parametreleri ölçülmüş ve sonuçlar benzetim sonuçlarıyla kıyaslanmıştır. Yükselticinin karakterizasyonunda, devrenin aktif elemanları olan transistörlerin bazı frekanslarda verilmiş küçük-işaret mikrodalga S-parametreleri ve pasif elemanların değerleri kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre, ölçülen ve benzetilen sonuçlar nispeten uyumludur.
Description
Keywords
Distributed amplifier, Broadband, S-parameters, PCB fabrication, Dağılmış parametreli kuvvetlendirici, Genişbant, S-parametreleri, PCB gerçekleme
Citation
Hiçdurmaz, B. ve Özzaim, C. (2016). "A DC~1.6 GHz distributed amplifier with GaAs MESFETs". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 21(2), 159-169.