Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11452/7673
Title: Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi
Other Titles: Formation of thin Ag film on Si(100) and investigation of its characteristics
Authors: Bektöre, Yüksel
Ertürk, Kadir
Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Keywords: Bariyer
Schottky diyodları
İdealite faktörü
İnce filmler
Barrier
Schottky diodes
Ideality factor
Thin films
Issue Date: 14-Aug-2002
Publisher: Uludağ Üniversitesi
Citation: Ertürk, K. (2002). Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.
Abstract: Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal - yarıiletken Schottky bariyer diyotlarla çalışılmıştır. Schottky bariyer diyot silisyum üzerine gümüş kaplanmasıyla oluşturulmuştur. Akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)'nın V'ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (θb) hesaplanmıştır. 1 - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmıştır. C - V ve I - V ölçümlerinden bulunan bariyer yükseklikleri karşılaştırılmıştır.
In this work, Schottky barrier diode which is a metal - semiconductor contact and possesses rectifying properties have been studied. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (θb) is found. I - V measurement is fallowed by C - V measurement on the sample. Barrier height which were calculated both C - V and I - V measurements, has been compared.
URI: http://hdl.handle.net/11452/7673
Appears in Collections:Yüksek Lisans Tezleri / Master Degree

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
128467.pdf
  Until 2099-12-31
2.37 MBAdobe PDFView/Open Request a copy


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons