Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11452/7649
Title: İnfrared bölgede çalışan pin fotodiyotların elektrik ve fotoelektrik özelliklerine göre incelenmesi
Other Titles: Investigation of pin photodiodes operating in the infrared region according to their electrical and photoelectric properties
Authors: Afrailov, Muhiddin
Anıl, Özgür
Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Keywords: İnfrared bölgesi
Fotodiyot
Photodiode
Infrared region
Issue Date: 13-Jan-2003
Publisher: Uludağ Üniversitesi
Citation: Anıl, Ö. (2003). İnfrared bölgede çalışan pin fotodiyotların elektrik ve fotoelektrik özelliklerine göre incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.
Abstract: Bu çalışmada, Si pin fotodiyotlar ile çalışılmıştır. Si pin fotodiyota ait akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen I - V değişim grafikleri yardımı ile, ideallik faktörü (p) belirlenmiştir. İdeallik faktörü yardımı ile fotodiyotta baskın olan akım mekanizmaları tespit edilmiştir. I - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmış, bu ölçümler yardımı ile katkı yoğunluğu (NB) ve katkı bölgesi genişliği (W) elde edilmiştir. Son bölümde Si pin fotodiyot üzerindeki aydınlatma etkisine değmilrniş, aydınlatmama Si pin fotodiyota ait; duyarlılık, sığa ve akım parametrelerine olan etkisi incelenmiştir.
In this study, we have studied with si pin photodiodes. The current and voltage characteristics of the Si pin photodiodes have been researched and with the help of the I-V change graphics which are obtained via the research, the ideal factor is determined. With the help of the ideal factor the dominant current mechanism on the photodiode is determined. After the I - V measurements the C - V measurements are taken and with the help of these measurements, the doping density and doping region width are obtained. In the last part, the iUumination effect on the Si pin photodiode is mentioned, and the effect of the illumination on the sensitivity, capacitance and current parameters of the Si pin photodiode is researched.
URI: http://hdl.handle.net/11452/7649
Appears in Collections:Yüksek Lisans Tezleri / Master Degree

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
139868.pdf
  Until 2099-12-31
3.96 MBAdobe PDFView/Open Request a copy


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons