Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11452/3943
Title: Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Other Titles: Examining the electrical properties of n-Si/Cu ,p-Si/Cu Schottky diodes formed by electrodeposition method
Authors: Ahmetoğlu, Muhitdin
Gürpınar, Burcu
Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
Keywords: Elektriksel özellikler
Elektrodepozisyon
Schottky diyodları
Schottky eklemi
Schottky engelleri
Schottky kontakları
Electrical properties
Electrodeposition
Schottky diodes
Schottky junction
Schottky barriers
Schottky contacts
Issue Date: 2008
Publisher: Uludağ Üniversitesi
Citation: Gürpınar, B. (2008). Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.
Abstract: Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal – yarıiletken Schottky bariyer diyotlar incelenmiştir. Schottky bariyer diyot, n-Si ve p-Si üzerine elektrodepozisyon yöntemi kullanılarak Cu depozite edilmesiyle oluşturulmuştur. Her iki durumdada oluşan Schottky diyoda ait akım-gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)’nın V’ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) hesaplanmıştır. I – V ölçümlerinin yanı sıra birde C – V ölçümleri alınmıştır. Ayrıca Cu filmi sabit akım modu kullanılarak n-tipi Si(100) üzerine elektrodepozit edilmiştir. Cu/n-Si’a ait elektriksel özellikler birkaç farklı sıcaklıkta incelenmiştir.
In this work, Schottky barrier diode which is a metal – semiconductor contact and possesses rectifying properties have been observed. Schottky barrier diode was performed by electrodepositing Cu film on n-Si and p-Si substrate. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (ΦB) is found. I – V measurement is followed by C – V measurement on the sample. Also Cu film was electrodeposited on n-type Si(100) substrate using constant current mode. The electrical properties of Cu/n- Si were investigated at several temperatures.
URI: http://hdl.handle.net/11452/3943
Appears in Collections:Yüksek Lisans Tezleri / Master Degree

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
246491.pdf7.97 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons