Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11452/1668
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorAhmetoğlu, Muhitdin-
dc.contributor.authorKırsoy, Ahmet-
dc.date.accessioned2019-11-15T07:08:26Z-
dc.date.available2019-11-15T07:08:26Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationKırsoy, A. (2015). GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış doktora tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.tr_TR
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11452/1668-
dc.description.abstractBu çalışmada n-GaAs yarıiletkeni üzerine P3HT poly(3-hexylthiophene), MEH-PPV poly [2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] iletken polimerleri, fulleren türevi PCBM [6,6]-phenyl-61C-butric acid methyl ester) ve GO (Graphene oxide) iletken materyalleri kaplanarak Schottky engel diyotları üretilmiştir. Çalışmada kullanılan bu iletken organik materyaller (P3HT, MEH-PPV, PCBM, GO), elektronik dünyasında Schottky diyotlar, organik ledler, transistörler, biyosensörler, fotosensörler, fotovoltaik ve güneş pili uygulamaları gibi çok geniş bir kullanım alanına sahiptir. Üretilen diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçüm metotları kullanılarak incelenmiştir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. Diyot parametreleri çeşitli yöntemlerle hesaplanarak karşılaştırılmıştır. Polimer kullanarak Au/n-GaAs/Au geleneksel Schottky diyodunun elektriksel özelliklerinin kontrol edilebileceği görülmüştür. Au/n-GaAs/GO/Au diyodunun frekansa bağlı C-V ve G/ω-V ölçümleri oda sıcaklığında 10 kHz-1MHz frekans aralığında gerçekleştirilmiştir. C-V ölçümlerinden artan voltajla birlikte her bir frekans için kapasitansın negatif değerler aldığı gözlenmiştir. Literatürde bu durum negatif kapasitans (NC) olarak bilinir. NC özellikle düşük frekanslarda daha dikkat çekici olup, kapasite değerlerinin mutlak değerinin frekansın düşmesiyle arttığı gözlenmiştir. Seri direnç Rs değerleri de NC'nin gözlendiği yığılma bölgesinde düşük frekanslar için yüksek olup, frekansın artmasıyla düştüğü gözlenmiştir. G/ω-V ölçümlerinden de doğal olarak seri direncin tersine bu bölge için frekansın artmasıyla iletkenlik değerlerinin arttığı gözlenmiştir. Diyodun NC karakteristiği iyonizasyon nedeniyle Fermi seviyesinin altındaki dolu durumlarda meydana gelen ara yüzey yük kaybından kaynaklandığı düşünülebilir. Aynı zamanda NC'ye özellikle düşük frekanslarda meydana gelen polarizasyondaki artış ve yapıya daha fazla taşıyıcı girişi atfedilebilir. Üretilen Au/n-GaAs/GO/Au diyodunun I-V ölçümlerinden ışığa duyarlı olduğu tespit edilmiş olup bu yapının fotosensör olarak kullanılabileceği değerlendirilmektedir.tr_TR
dc.description.abstractIn this study, Schottky Barrier Diodes have been fabricated by coating P3HT poly(3-hexylthiophene), MEH-PPV poly [2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene] conductive polimers, derivative of fullerene PCBM [6,6]-phenyl-61C-butric acid methyl ester) and GO (Graphene oxide) conductive materials onto n-GaAs semiconductor. These organic conductive materials used in the study have a very broad range of application areas such as Schottky diodes, organic light-emitting-diodes, transistors, biosensors, photosensors, photovoltaic and solar cells. Electrical characteristics of the fabricated diodes have been investigated by using the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurement methods. All measurements were performed at room temperature. The diode parameters calculated by various methods were compared. The electrical properties of the conventional Schottky diode can be controlled by using polymer was observed. Frequency dependent C-V and G/ω-V characteristics of Au/n-GaAs/GO/Au Schottky diode have been measured in the frequency range from 10 kHz to 1MHz at room temperature. Negative capacitance values have been observed with the increasing applied voltage for each frequency from C-V measurements. This is known as negative capacitance (NC) in the literature. NC is more remarkable especially at low frequencies, It was observed that the absolute values of capacities increased with the decrease of frequency. Series resistance values Rs, in the accumulation region where NCs occurred, were observed to be high for low frequencies, and they decreased with increasing frequency. Naturally, contrary to series resistance, it was observed from G/ω-V measurements that the values of G/ω increased with increasing frequency in the same region. The negative capacitance characteristic of the diode can be referred to the loss of interface charges at occupied states below Fermi level due to impact ionization processes. It can also be attributed to an increase in the polarization particularly at low frequencies and the introduction of more carriers in the structure. The produced Au/n-GaAs/GO/Au diode was determined to be sensitive to light from I-V measurements and it is evaluated that this structure would be used as photosensor.en_US
dc.format.extentXI, 120 sayfatr_TR
dc.language.isotrtr_TR
dc.publisherUludağ Üniversitesitr_TR
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.rightsAtıf 4.0 Uluslararasıtr_TR
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/*
dc.subjectSchottky engel diyotlartr_TR
dc.subjectSeri dirençtr_TR
dc.subjectİletken polimertr_TR
dc.subjectP3HTtr_TR
dc.subjectMEH-PPVtr_TR
dc.subjectPCBMtr_TR
dc.subjectGOtr_TR
dc.subjectNCtr_TR
dc.subjectSchottky barrier diodesen_US
dc.subjectSeries resistanceen_US
dc.subjectConducting polymeren_US
dc.titleGaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesitr_TR
dc.title.alternativeInvestigation of electrical and optical properties of the structure formed by coating conductive polymer onto GaAs semiconductoren_US
dc.typedoctoralThesisen_US
dc.relation.publicationcategoryTeztr_TR
dc.contributor.departmentUludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.tr_TR
Appears in Collections:Doktora Tezleri / PhD Dissertations

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
426004.pdf33.72 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons