Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi
Loading...
Files
Date
2002-08-14
Authors
Ertürk, Kadir
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Uludağ Üniversitesi
Abstract
Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal - yarıiletken Schottky bariyer diyotlarla çalışılmıştır. Schottky bariyer diyot silisyum üzerine gümüş kaplanmasıyla oluşturulmuştur. Akım ve gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)'nın V'ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği (θb) hesaplanmıştır. 1 - V ölçümlerinden sonra C - V ölçümleri alınmıştır. C - V ve I - V ölçümlerinden bulunan bariyer yükseklikleri karşılaştırılmıştır.
In this work, Schottky barrier diode which is a metal - semiconductor contact and possesses rectifying properties have been studied. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (θb) is found. I - V measurement is fallowed by C - V measurement on the sample. Barrier height which were calculated both C - V and I - V measurements, has been compared.
In this work, Schottky barrier diode which is a metal - semiconductor contact and possesses rectifying properties have been studied. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height (θb) is found. I - V measurement is fallowed by C - V measurement on the sample. Barrier height which were calculated both C - V and I - V measurements, has been compared.
Description
Keywords
Bariyer, Schottky diyodları, İdealite faktörü, İnce filmler, Barrier, Schottky diodes, Ideality factor, Thin films
Citation
Ertürk, K. (2002). Si(100) üzerinde ince Ag film oluşturulması ve özelliklerinin incelenmesi. Yayınlanmamış yüksek lisans tezi. Uludağ Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü.